2 шт. 2SK246 2SJ103 полевой эффект пара(Точное сопряжение (от 793 руб.)

Описание

Широко используемая аудиопара, часто используемая для дифференциального входа, была изучена и подобрана точным компьютером

Познание и измерение MOS трубка с полевым эффектом

MOS полевой трубкой является металл-оксид-Полупроводниковый полевой Эффект трубки, которая сокращается как MOSFET (металл-оксид-Полупроводниковый полевой-эффект-транзистор), который относится к изолированному типу ворот. Его Основной особенностью является слой изоляции диоксида кремния между металлическими воротами и каналом, поэтому он имеет высокое входное сопротивление (до 1015Ω). Он также разделен на n-канальную трубу и p-канальную трубу, символ показан на рис. 1. Как правило, подложка (подложка) и источник S соединены между собой. В соответствии с различными способами проводимости мосфеты делятся на усиленные и обедненные типы. Так называемый улучшенный тип означает, что когда VGS = 0, трубка находится в отключенном состоянии. После добавления правильного VGS, большинство перевозчиков притягиваются к воротам, тем самым «увеличивая» перевозчиков в этой области и формируя проводящий канал. Тип истощения означает, что канал формируется, когда VGS = 0, и когда корректный VGS добавлен, большинство несущих могут вытекать из канала, таким образом, "слой" перевозчиков и токарная обработка трубки, чтобы выключить. На примерах канала N на кремниевой подложке p-типа образуются две области диффузии источника N + и области диффузии Слива N + с высокой допинговой концентрацией, и источник S и слив D соответственно. Источник и подложка внутри соединены, и оба всегда поддерживают эквивалент.

Переднее направление В символе на фиг. 1 (а)-от внешнего к электрическому, что означает, что материал p-типа (подложка) относится к корпусу канала n-типа. В тех случаях, когда слив подключен к положительному полюсу блока питания, источник соединен с отрицательным полюсом блока питания, и ВГС = 0, текущий канал (например, Токе стока силой) ID = 0. Как VGS постепенно увеличивается и привлекает положительные Ворота напряжение отрицательно заряженные носители являются искусственное между двумя диффузии регионов, образуя n-типа канала из сливной к истоку. Когда VGS больше, чем трубка, когда напряжение включения VTN (обычно около + 2 в), трубка n-канала начинает вести, формируя идентификатор сливного тока. Типичные продукты домашних N-канальные МОП-транзисторы, 3DO1, 3DO2, 3DO4 (приведенные выше приведены все одиночные ворота транзисторы), и 4DO1 двойная пешеходная машина ворота транзисторы). Свой пин механизма (Вид снизу)-это показано на рисунке 2.

MOS полевые транзисторы более "деликатные". Это потому, что его входное сопротивление очень высокое, и емкость затвора-источника очень мала, его очень легко заряжать индукцией внешнего электромагнитного поля или статического электричества, добавьте небольшое количество заряд может формируют относительно высокого напряжения на Интер-электрода постоянной ёмкости, универсальный конденсатор (США) = Размер Q/C) Повредить трубы. Поэтому на заводе все контакты скручиваются вместе или устанавливаются в металлическую фольгу, так что полюсы G и S имеют одинаковый потенциал, чтобы предотвратить накопление статических зарядов. Когда трубка не используется, все провода также должны быть коротки. Будьте внимательны при измерениях и принимайте соответствующие антистатические меры.

Метод обнаружения описан ниже.

1. Препараты перед измерением, коротки тело человека до земли, прежде чем касаться штифтов MOSFET. Лучше всего соединить проволоку на запястье для связи с землёй, чтобы человеческое тело и земля могли поддерживать тот же потенциал. Отделите контакты и удалите провода.

2. Набор электродов мультиметра для R × 100, и сначала Определите сетку. Если сопротивление одного штифта и других штифтов бесконечное, то доказано, что этот штифт является затвором G. Следует измерить вес тестового свинца для обмена. Значение сопротивления между S и D должно быть несколько сотен Ом до нескольких тысяч ом. Чем меньше значение сопротивления, тем черный тестовый провод подключен к полюсу D, а красный тестовый провод подключен к полюсу S. Для продуктов серии 3SK, изготовленных в Японии, полюс S соединен с кожухом, и полюс S может быть легко определен на основе этого.

3. проверьте способность увеличения (транспроводимость) повесить G полюс, черный тестовый провод подключен к D полюсу, красный тестовый провод подключен к S полюсу, а затем коснитесь g-столба пальцем, измерительная игла должна иметь большой прогиб. Двойной-ворота MOS полевого транзистора имеется два ворота G1 и G2. Чтобы различить их, вы можете касаться полюсов G1 и G2 руками, а полюс G2 является тем, с большим отклонением влево. В настоящее время в некоторые MOSFET трубки добавлены защитные диоды между G-S полюсами, и, как правило, не нужно замыкать контакты. Трубка с полевым эффектом VMOS (VMOSFET) сокращается как трубка с полевым эффектом VMOS или силовая трубка с полевым эффектом, и ее полное название-труба с полевым эффектом V-groove MOS. Это недавно разработанный с высокой пропускной способностью, переключения мощности устройства после MOSFET. Он не только наследует высокое входное сопротивление (≥108вт) полевого транзистора MOS и небольшой движущийся ток (около 0,1 μA), он также имеет высокое выдерживаемое напряжение (до 1200 в), большой рабочий ток (1.5A ~ 100A), выходная Высокая мощность (1 ~ 250 Вт), хорошая линейность проводимости, Быстрая скорость переключения и т. Д. это только из-за того, что он сочетает в себе преимущества электронных трубок и Силовые транзисторы, таким образом, он широко используется в усилители напряжения (усиление напряжения кратным может достигать тысячи раз), усилители мощности, импульсные блоки питания и инверторы.

Как всем известно, ворота, источник и слив традиционного MOS FET в основном на чипе, который находится примерно в одной горизонтальной плоскости, и ее рабочий ток в основном в горизонтальном направлениях.

Трубка VMOS отличается, и ее две основные конструктивные особенности видны на рисунке 1:

Во-первых, металлические ворота имеют v-образную структуру;

Во-вторых, он имеет вертикальную проводимость.

Поскольку слив отсчитывается с задней стороны чипа, идентификатор не течёт по чипу горизонтально, а начинается от сильно легированной области N + (источник S), течет во слегка легированный N-дрейф региона через P канала, и, наконец, достигает вертикально передним концом вниз. Слив D. Направление тока показано стрелкой на рисунке. Потому что поток площадь поперечного сечения увеличивается, большой ток может быть принят. Поскольку между воротами и чипом находится изоляционный слой диоксида кремния, он по-прежнему относится к изолированному транзистору МОС-эффекта. С учетом основных внутренних производителей VMOS fetы-это 877, Тяньцзинь, полупроводниковое устройство № 4 и Ханчжоу электровакуумного фабрики. Типичные продукты VN401, VN672, VMPT2 и т. Д. В таблице 1 приведены основные параметры шести VMOS труб. Из них внешний вид IRFPC50 показан на рис. 3.

Метод обнаружения VMOS трубки представлена ниже.

1. Суждение сетки G Установите мультиметр в положение R × 1 k для измерения сопротивления между тремя контактами. Если вы обнаружите, что сопротивление штыря и его двух штырей бесконечное, и оно все еще бесконечно после обмена тестовыми проводами, затем нанофарад доказано, чтобы быть г-полюс, потому что это должны быть изолированы от других два контакта.

2. Анализ источника S и слива D можно увидеть на рис. 1. Между источником и сливом существует соединение PN. Таким образом, в зависимости от разницы между передним и обратным сопротивлениями соединения PN, полюсы S и D могут быть обнаружены. Измерьте сопротивление дважды с обменом измерительных наконечников (метод. В том числе, меньшее значение сопротивления (если у вас несколько тысяч ом до десяти тысяч ом)-прямое сопротивление. На данный момент, черный измерительных наконечников (является Южный полюс, а красный измерительных наконечников (подключается к D полюс.

3. для измерения сопротивления-источник сопротивления RDS (on), короткое замыкание на G-S полюс, выберите R × 1 позицию мультиметр, Подключите черный измерительных наконечников на южный полюс, И Красный тест приводит к D полюсу. Значение сопротивления должно немного отличаться и немого отходить от описания Ом до десятка Ом. В связи с использованием различных условий испытаний, измеренное значение RDS (on) соотношение цена/качество если сумма вашего заказа превышает типичное даны в ручную. Например, 500 метровый мультиметр R × 1 файл используется для измерения трубки IRFPC50 VMOS, а RDS (on) = 3,2 Вт, которая превышает 0,58 Вт (стандартное значение).

4. Проверьте крутизна. Набор мультиметра для R × 1 k (или R × 100) положении. Подключите красный измерительных наконечников на южный полюс и черный измерительных наконечников (до D полюс. Удерживайте кнопку отвертка прикоснуться к размерной сетке. Игла должна в значительной степени отклонения. Чем больше отклонение, тем выше транспроводимость.

Меры предосторожности:

(1) трубы VMOS также делятся на n-канальные и p-канальные, но большинство продуктов относится к n-канальным трубкам. Для p-канальных труб следует обменять положение тестовых проводов.

(2) есть несколько VMOS трубки между G-S и защита диоды для подавления переходных скачков напряжения. Пунктов 1 и 2 в этот метод испытаний более не используются.

(3) существует также модуль питания VMOS трубки на рынке, который специально используется для регуляторов скорости двигателя переменного тока и инверторов. К примеру, IRFT001 модуль производства американского ИК-компания имеет три N и p-канала трубки внутри, образуя трехфазный мостовой структурой.

(4) продукты серии VNF (n-канал) в настоящее время на рынке являются сверхвысокочастотными силовыми полевыми трубами, произведенными американским Supertex. Самая высокая рабочая частота fp = 120 МГц, IDSM = 1A, ДПМ = 30 Вт, а общий источник малого сигнала низких частот. Крутизна gm = 2000 МКС. Подходит для высокоскоростных коммутационных схем и вещательного и коммуникационного оборудования.

(5) при использовании VMOS трубки необходимо добавить подходящий теплоотвод. Возьмите VNF306 в качестве примера. После установки 140 × 140 × 4 (мм) теплоотвод в этой трубки, максимальная мощность может достигать 30 Вт. Полевой транзистор (фэт) представляет собой полевой транзистор для коротких. Это относится к управляемый напряжением полупроводниковое устройство. Преимуществами высокой входное сопротивление (108 ~ 109Ω), низкий уровень шума, низкое энергопотребление, Отсутствие вторичного явления пробоя, широкий Безопасная рабочая зона и т. д., теперь стали сильных конкурентов для биполярного транзистора и Силовые транзисторы. Есть два типа полевых транзисторов: тип соединения и изолированным затвором типа. JFET названы, так как они имеют две PN внутренней катушкой, дорожных развязок и JGFETs называются потому, что ворота полностью изолированный от других электроды. В настоящее время наиболее широко используется МОП в изолированным затвором полевых транзисторов являются MOS полевой эффект трубы под названием MOS трубки (датчик МОП-полупроводника полевой эффект МОП); есть также PMOS, NMOS и VMOS Мощность полевой эффект трубы. И недавно & pi; МОП-транзисторов, VMOS переменного тока в постоянный питания и так далее. В соответствии с различием канальных полупроводниковых материалов, тип соединения и тип изолированных ворот делятся на тип канала и тип канала P. Если разделены в зависимости от проводящий метод, трубка с полевым эффектом можно разделить на режиме обеднения, и улучшенный тип. Распределительная коробка fetы-все это обедненный, а также утепленные-ворота полевых транзисторов, как обедненный и более. Полевых транзисторов можно разделить на распределительная полевых транзисторов и МОП-полевых транзисторов. MOS полевых транзисторов делятся на N-channel, работающие в режиме обеднения, и повышение тип; Р-канал в режиме обеднения, и повышения типа. Смотрите прикрепленные на рисунке 1.

Меры предосторожности для использования MOS полевых транзисторов.

MOS полевых транзисторов следует тщательно засекречены при использовании, и не могут быть заменены по своему желанию. MOS полевых транзисторов очень подвержены пробоя электростатического благодаря своей высокой входное сопротивление (в том числе MOS интегральные схемы). Следующие правила должен выполняться в тех случаях, когда использование:

1. MOS устройства обычно упаковываются в черная доска пены полиэтиленовый пакет в тех случаях, когда они покинут завод. Не берите в полиэтиленовый пакет. Вы также можете подключить шпильки вместе с тоннкая медная провода или использовать Оловянная фольга

2. Снятой MOS прибор не скользят по пластиковая пластина, а также металлический диск должен использоваться для того, чтобы держать в режиме ожидания устройство.

3. Паяльник должен быть обоснованным.

4. Прежде чем пайки, защита от короткого замыкания в шнур питания печатной платы к земле, а затем отделить их после того, как MOS прибор припаивается.

5. Сварки заказ каждого pin-код MOS прибор слив, исходным кодом и ворота. При разборке заказ отменен.

6. Перед установкой печатной платы, используйте заземляющего провода зажим прикоснуться к каждой терминал машины, и затем Соедините контакты печатной платы.

7. Ворот MOS полевого транзистора является лучшим подключен к защитный диод в том случае, если это допустимо. При ремонте цепи, обратите внимание, чтобы проверить, поврежден ли оригинальный защитный диод. Тестирование полевых транзисторов. Следующие виды применения широко используемый 3DJ-type N-channel распределительная полевой транзистор в качестве примера для того, чтобы объяснить метод испытаний: 3DJ-type распределительная полевой транзистор может рассматриваться как Силовые транзисторы NPN типа транзистор, и ворота G соответствует к основанию b и сливной D соответствует коллектор c, Источник S соответствует излучатель e. Таким образом, просто сделайте замеры переднего и заднего сопротивления pn-перехода как транзистор. Набор мультиметра для R * 100 и используйте черный измерительных наконечников для подключения одного из электродов полевого транзистора, а красный измерительных наконечников (по сравнению с двумя другими полюсами соответственно. В тех случаях, когда два низких сопротивлений, черный измерительных наконечников (подключается к сети полевого транзистора. Красный измерительных наконечников (подключается к слив или источника. Для соединения полевых транзисторов, стока и источник взаимозаменяемы. Для Распределительная полевого транзистора с 4 штырьками, другой полюс щит полюс (заземленная во время использования).

Порядок соединения транзисторов и МОП-транзисторов MOS показан на рис. 2. Оценка качества полевого транзистора. При первом использовании в MF10 мультиметр R * 100KΩ блока (встроенный 15 V батарею), Подключите отрицательный измерительных наконечников (черный) к сетке (G), а также позитивные измерительных наконечников (красный) к источнику (S). Зарядка между сеткой и источника. На данный момент, указатель мультиметр слегка отклоняется. Затем Используйте мультиметр R * 1Ω блок, Подключите отрицательный измерительных наконечников для слива (D), и положительный результат теста привести к тому, что источник (S). Если измерительный прибор указывает на несколько Ом, это значит, что в данный момент трубка с полевым эффектом хорош.