4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 ОМ* см/модель = двойной кислорода/Кремниевая пластина толщиной 525um
  • 4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 ОМ* см/модель = двойной кислорода/Кремниевая пластина толщиной 525um
  • 4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 ОМ* см/модель = двойной кислорода/Кремниевая пластина толщиной 525um
  • 4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 ОМ* см/модель = двойной кислорода/Кремниевая пластина толщиной 525um
  • 4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 ОМ* см/модель = двойной кислорода/Кремниевая пластина толщиной 525um
  • 4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 ОМ* см/модель = двойной кислорода/Кремниевая пластина толщиной 525um
  • 4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 ОМ* см/модель = двойной кислорода/Кремниевая пластина толщиной 525um

4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 ОМ* см/модель = двойной кислорода/Кремниевая пластина толщиной 525um

5 455 руб.

Описание

Храктеристика устройства:

1) Материал: Кремний высокой чистоты
2 размера: 4 дюйма
3 диаметр и допуск: 100 ± 0,4 мм
4 Толщина: 525um
5 толщина оксида: 300 нм
6 Модель: N
7 характеристики: двойной кислород
8: RСред с0,01-0,02 Омега (см)
9 направление: <100>
10 полировка: диоксид кремния
11 основных применений: PVD/CVD покрытие, магнетронное напыление, XRD, SEM, прирост атомной силы образца, инфракрасная спектроскопия, флуоресцентная спектроскопия, подложка, подложка, молекулярный пучок эпитаксиального роста полупроводникового кристаллического рентгеновского анализа.

4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 ОМ* см/модель = двойной кислорода/Кремниевая пластина толщиной 525um4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 ОМ* см/модель = двойной кислорода/Кремниевая пластина толщиной 525um4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 ОМ* см/модель = двойной кислорода/Кремниевая пластина толщиной 525um4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 ОМ* см/модель = двойной кислорода/Кремниевая пластина толщиной 525um4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 ОМ* см/модель = двойной кислорода/Кремниевая пластина толщиной 525um4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 ОМ* см/модель = двойной кислорода/Кремниевая пластина толщиной 525um4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 ОМ* см/модель = двойной кислорода/Кремниевая пластина толщиной 525um

Характеристики

Стандартный
GB
Номер модели
Crystal orientation 100/ Model N
Габаритные размеры
Oxide thickness 300nm
Наличие стандарта
Стандарт
Материал
Monocrystalline silicon

Сопутствующие товары