Описание
Технические показатели:
Площадь выращивания: 10*10 мм2
Направление роста: ось c ([0001] направление)
Диаметр роста: 50 ~ 500 нм
Длина массива: 5 ~ 20 мкм
Качество кристаллов: один кристалл
Длина волны люминесценции: 365-390 нм
Катализатор: Да
Характеристики
- Габаритные размеры
- Growth diameter: 50~500nm
- Номер модели
- GaN nanoarray material
- Наличие стандарта
- Нестандартный
- Стандартный
- Другое
- Материал
- Другое
Сопутствующие товары
