Описание
| Особенности |
| ValueRAM для 256 м x 64 бит (2 ГБ) DDR3-1333 CL9 SDRAM (синхронное динамическое ОЗУ), 1Rx8 модуль памяти, исходя из восьми 256 M x 8-bit DDR3-1333 FBGA компоненты. SPD запрограммирован на стандартную задержку JEDEC DDR3-1333 синхронизации 9-9-9. Этот 204-pin SODIMM использует золотые контактные пальцы. • Стандарт JEDEC 1,5 В (1,425 В ~ 1,575 в) источник питания • VDDQ = 1,5 В (1,425 В ~ 1,575 в) • FCK 667 МГц для 1333 Мб/сек/pin • 8 независимых внутренних банка • Программируемая задержка CAS: 9, 8, 7, 6 • Программируемая аддитивная задержка: 0, CL-2 или CL-1 часов • Программируемая задержка записи CAS (CWL) = 7 (DDR3-1333) • 8-битный предварительно выборки • Длина разрыва: 8 (чередование без каких-либо ограничений, последовательный с Только начальный адрес “000”), 4 с TCCD = 4, который не Позволяет бесшовное чтение или запись [на лету с помощью A12 или Г-жа] • Двунаправленный дифференциальный стробоскоп данных • Внутренняя (Самостоятельная) Калибровка: Внутренняя Самостоятельная калибровка через ZQ контакт (R ZQ: 240 Ом ± 1%) • На конце с помощью ODT pin • Средний период обновления 7,8 US при температуре ниже 85 °C, 3,9 US при 85 °C <TCASE <95 °C • Асинхронный сброс • Печатная плата: высота 1,18 ”(30 мм), двусторонний компонент |
| Технические характеристики |
| CL (йдз)9 циклов Время цикла строк (tRCmin)49.5ns (мин.) Обновление до активного/обновлениеРегулятор времени (tRFCmin)160 НС (мин.) Время активных строк (tRASmin)36 НС (мин.) Мощность (Рабочая)0,795 (ширина) * UL рейтинг94 V-0 Операционной Температура0o C до 85-го C Для хранения ТемператураОт-55O C до + 100th C |