M168 прочнее, чем транзистор индуктивности функция тест+ ESR

1. Измерение ESR (исходное значение не может измеряться онлайн)

2. Измерение сопротивления серии

3. сопротивление и индуктивность индуктивности

4. Измерение низкого сопротивления (0,5 евро или более)

5. Увеличение гуманного графического дисплея

6. улучшенные измерения сопротивления емкости показывают формат

Параметр

Измерение емкости: 100 пФ-10000 мкФ

Измерение сопротивления: 0,5 Ω-20 МОм (общее сопротивление, регулируемое сопротивление и сопротивление серии)

Измерение индуктивности: 0,1 mH-10 ч

Тест и определение всех транзисторов: Биполярный (NPN, PNP), FET, MOSFET (n-канал, P-channel enhancation-mode and delishation-mode MOSFET), Тиристоры, индукторы, SCR и двунаправленный штырь. Испытательные и идентификационные контакты и диоды напряжения, двойной диод, диоды варактора, диоды Зенера (тестовое напряжение до 5 В) и светодиодный.

Требования к питанию: 8-12 В

Тест и определение всех транзисторов: Биполярный (NPN, PNP), FET, MOSFET (n-канал, P-channel enhancation-mode and delishation-mode MOSFET), Тиристоры, индукторное сопротивление, и двунаправленный тиристорный свинцовый фут.

Испытательные и идентификационные контакты и диоды напряжения, двойной диод, диоды варактора, диоды Зенера (тестовое напряжение до 5 В) и светодиодный.

Требования к питанию: 8-12 В

Основная функция:

* Автоматическое обнаружение NPN и транзистор типа P-N-P, автоматическое обнаружение n-канала и p-канала типа полевой транзистор (MOSFET), автоматический диод обнаружения (включая биполярный диод), тиристорное автоматическое обнаружение, автоматическое обнаружение транзисторов, резисторов и конденсаторов, автоматическое обнаружение (емкость и сопротивление).

* Определение коэффициента усиления и основания транзистора-излучателя проводимости переднего напряжения

* Автоматическое обнаружение и оповещение тестовый вывод элементов (например, транзистор B, C, E; FET G, D, S; Диод K, A и т. д.)

* Обнаружение FET (MOSFET) пороговое напряжение ворот (на напряжении) и емкость ворот,

* Обнаружение транзисторов и транзисторов с полевым эффектом (MOSFET трубка) Диод внутренней защиты (ЖК-значок)

* Тестовые значения, отображаемые на ЖК-экране (2*16 символов)

* Время испытания: 2 секунды (за исключением большого конденсатора)

* Значок элемента и удобный дисплей, значительно повышает эффективность чтения

* Управление одной кнопкой, автоматическое отключение

Примечание: дисплей с подсветкой, LCD1602 стандартные интерфейсы.