Молибдена диселенида 02: сапфировый субстрат МОС/2 на одной стороне, шлифовальные/double side полировки

Метод производства:

Химического парофазного осаждения (CVD)

Шесть углерода технологии MoSe2 фильм разделен на разнообразие:

1) один слой дискретно распределенных изолированный зерна, как правило с длиной стороны десятки микрон.

2) однослойная непрерывная фильм состоящий изолированных зерна продолжает расти вместе в Dalian с несколькими слоями областях.

3) Субстрат: существует много альтернатива подложки для MoSe2, и SiO2/Кремниевая подложка является прямым осаждения. Другое субстратов, таких как кремниевых пластин, ПЭТ, PI, ITO, FTO, стекло, металл материалах и т. д. передаются на подложке требуется клиентом после роста на SiO2/Si.

Устройства оптоэлектронные, микроэлектронных устройств, биодатчиков, химической зондирования и других областях.

10*10 мм, 15*15 мм, 20*20 мм, 2-дюймовые вафли, 4-дюймовые вафли или клиент-указано нестандартного размера.

Очистки вакуумная упаковка, 1 шт./кор., 5 шт./кор.. 10 шт./кор..

MIT, Caltech, Стэнфордский университет;

Оксфордского университета, Манчестер университета;

Сеульского национального университета, Корейского института науки и Технология (KAIST), и Sungkyunkwan университета;

Токио Институт Технология, Murata Производство ООО.

Университет Цинхуа, Пекинский университет, Институт полупроводников, Китайской академии наук

И других всемирно известные научные учреждения.