Описание
Технические характеристики:
1. Материал: силикон высокой чистоты
2. Длина: 30 мм
3. Ширина: 30 мм
4. Толщина: 650um, 725um
5. Удельное сопротивление: 0,001-50/Ω∙см
6. Направленность: <100>
7. Полировка: односторонняя полировка
8. Планность: <1 микрометр
9. Основное применение: Для процесса синхротронного излучения носителя образцов, PVD/CVD покрытие подложки, магнетронное распыление, XRD, SEM, рост образца атомная сила, инфракрасная спектроскопия, флуоресцентная спектроскопия анализ тестовая подложка, подложка, молекулярный лучевой эпитаксиальный рост полупроводникового кристаллического рентгеновского анализа.







Характеристики
- Габаритные размеры
- Length * width=30mm*30mm
- Номер модели
- Length * width=30mm*30mm
- Стандартный
- GB
- Наличие стандарта
- Стандарт
- Материал
- Monocrystalline silicon













