Описание
Технические характеристики:
1. Материал: Высокая чистота кремния
2. Длина: 23 мм
3. Ширина: 23 мм
4. Толщина: 650um, 725um
5. Сопротивление: 0.001-50/Ω∙cm
6. Ориентация: <100>
7. Лак: односторонняя полировка
8. плоскость: <1 микрометр
9. Основное применение: Для процесса synchrotron облучения образец носителя, pvd/CVD покрытие подложек, магнетрон sputtering, XRD, SEM, рост выборочной атомной силы, инфракрасная спектроскопия, анализ флуоресценции спектроскопии, подложка, подложка, молекулярный луч эпитаксиальный рост полупроводникового кристаллического рентгеновского анализа.







Характеристики
- Номер модели
- Length * width=23mm*23mm
- Габаритные размеры
- Length * width=23mm*23mm
- Стандартный
- GB
- Наличие стандарта
- Стандарт
- Материал
- Monocrystalline silicon













