Одна сторона полированная монокристаллического Si подложки 10 мм* 10 мм/высокой чистоты кремниевой подложке/2970um ультра тонкая пленка

Описание

Технические характеристики:

1. Материал: Высокая чистота кремния

2. Длина: 10 мм

3. Ширина: 10 мм

4. Толщина: 2970um ультра тонкая пленка

5. Сопротивление: 0.001-50/Ω∙cm

6. Ориентация: <100>

7. Лак: односторонняя полировка

8. плоскость: <1 микрометр

9. Основное применение: Для процесса synchrotron облучения образец носителя, pvd/CVD покрытие подложек, магнетрон sputtering, XRD, SEM, рост выборочной атомной силы, инфракрасная спектроскопия, анализ флуоресценции спектроскопии, подложка, подложка, молекулярный луч эпитаксиальный рост полупроводникового кристаллического рентгеновского анализа.