Односторонняя полировка экспериментальные исследования высокой чистоты небольшой квадратный кусок SEM монокристаллическая силиконовая вафельная многоразмерная точка siz
  • Односторонняя полировка экспериментальные исследования высокой чистоты небольшой квадратный кусок SEM монокристаллическая силиконовая вафельная многоразмерная точка siz
  • Односторонняя полировка экспериментальные исследования высокой чистоты небольшой квадратный кусок SEM монокристаллическая силиконовая вафельная многоразмерная точка siz
  • Односторонняя полировка экспериментальные исследования высокой чистоты небольшой квадратный кусок SEM монокристаллическая силиконовая вафельная многоразмерная точка siz
  • Односторонняя полировка экспериментальные исследования высокой чистоты небольшой квадратный кусок SEM монокристаллическая силиконовая вафельная многоразмерная точка siz
  • Односторонняя полировка экспериментальные исследования высокой чистоты небольшой квадратный кусок SEM монокристаллическая силиконовая вафельная многоразмерная точка siz

Односторонняя полировка экспериментальные исследования высокой чистоты небольшой квадратный кусок SEM монокристаллическая силиконовая вафельная многоразмерная точка siz

154 руб.

Описание

Монокристаллическая Кремниевая пластина (односторонняя полировка)
Особенности:Высокочистая Кремниевая si Одиночная кристаллическая подложка, N/P Тип опционально, сопротивление 0,0001-100 Ом, опционально
Роста режим:Straight без застежки
С украшением в виде кристаллов направленности:[111]/[100]
Это действительно плоский экран:<1 микрон (измеренная общая страница)
Область применения:1. PVD/CVD покрытие в качестве подложки
2. Используется как XRD (рентгеновский Дифракционный анализ), SEM (сканирующий электронный микроскоп), FTIR инфракрасный, флуоресцентный спектральный анализ тестовая подложка, AFM (микроскоп атомной силы)
3. Synchrotron радиационный тест-носитель образца
4. Молекулярный пучок эпитаксиального роста подложки
5. Процесс полупроводниковой литографии и т. д.
Классификация:Одиночный бросок 3 × 3 мм; Одиночный бросок 5 × 5 мм; Одиночный бросок 8 × 8 мм;
Одиночный бросок 10 × 10 мм; Одиночный бросок 5 × 15 мм; Одиночный бросок 10 × 20 мм;
Одиночный бросок 15 × 15 мм; Одиночный бросок 20 × 20 мм; Одиночный бросок 23 × 23 мм;
Одиночный бросок 30 × 30 мм; Одиночный бросок 40 × 40 мм; Одиночный бросок 50 × 50 мм;
Одиночный бросок 10 × 15 мм; Одиночный бросок 5 × 30 мм.
Примечание:Другие размеры могут быть настроены.

Односторонняя полировка экспериментальные исследования высокой чистоты небольшой квадратный кусок SEM монокристаллическая силиконовая вафельная многоразмерная точка sizОдносторонняя полировка экспериментальные исследования высокой чистоты небольшой квадратный кусок SEM монокристаллическая силиконовая вафельная многоразмерная точка sizОдносторонняя полировка экспериментальные исследования высокой чистоты небольшой квадратный кусок SEM монокристаллическая силиконовая вафельная многоразмерная точка sizОдносторонняя полировка экспериментальные исследования высокой чистоты небольшой квадратный кусок SEM монокристаллическая силиконовая вафельная многоразмерная точка sizОдносторонняя полировка экспериментальные исследования высокой чистоты небольшой квадратный кусок SEM монокристаллическая силиконовая вафельная многоразмерная точка sizОдносторонняя полировка экспериментальные исследования высокой чистоты небольшой квадратный кусок SEM монокристаллическая силиконовая вафельная многоразмерная точка siz

Характеристики

Номер модели
SEM single crystal silicon wafer
Габаритные размеры
SEM single crystal silicon wafer
Стандартный
GB
Наличие стандарта
Стандарт
Материал
Другое