Рассеянный кремния Core Давление передатчик Core кремния Пьезорезистивный Давление Core рассеянный кремния Давление Core

Рассеянный кремния Core Давление передатчик Core кремния Пьезорезистивный Давление Core рассеянный кремния Давление Core

2 029 руб.

Описание

10KPa
35KPa
70KPa
100KPa
1.0MPa
4.0MPa
6.0MPa
10MPa
25MPa
100MPa
-0,1-0.1MPa
-0,1-0.25MPa
-0,1-2.5MPa

Все есть в наличии, пожалуйста оставьте сообщение, которое вам нужно. Или мы будем по умолчанию 100MPA.

Особенности
\Импорт чип давления
"Высокая производительность, все твердые состояния, высокая надежность
\ 18 месяцев гарантии
\ Технические характеристики
Сопротивление моста: 3kом ~ 6kом
Источник питания: постоянный ток 1.5ма, постоянное напряжение 10 В
Температура использования:-45 °C ~ 125 °C
"Диапазон компенсации:-10 °C ~ 70 °C
Корпус и Диафрагма: нержавеющая сталь 316L
Точность: 0.25% FS
"Ноль точка: ± 2МВ
Полная шкала: ≥100mv (типичная)
Нулевой дрейф: 0.02% FS/°C
Температура чувствительности к чувствительности: 0.02% FS/°C
\ Утеплитель: 100mом/250В DC
"Пломба: & phi; 16 × 1,7 мм (NBR или Фторированная резина)
Годовая стабильность: 0.2% FS/год
"Масло-наполненное: силиконовое масло, оливковое масло (гигиеническая)
Время отклика: ≤50μm (до 90% FS)
Вибрация: 20 г/(20 ~ 5000 Гц)
Цикл долговечности:> 100 × 106FS

\

Рассеянный кремния Core Давление передатчик Core кремния Пьезорезистивный Давление Core рассеянный кремния Давление Core

Характеристики

Тип
Биодатчик
Выход
Коммутирующий датчик
Бренд
XIN NUO QI
Материал
Металл
Номер модели
Diffused Silicon Pressure Core
Индивидуальное изготовление
Да
Применение
Diffused Silicon Pressure Core
Основы
Diffused Silicon Pressure Core