SEM монокристаллическая силиконовая вафельная однобоковая полировка экспериментальные исследования и монокристаллическая силиконовая Вафля высокой чистоты

Особенности: высокочистый кремний si Одиночная кристаллическая подложка, N/P Тип опционально, сопротивление 0,0001-100 Ом, опционально

Режим роста: прямая тяга

Кристалл направленности: [111]/[100]

Плоскость: <1 микрон (измеренная общая warpage)

Применение: 1.PVD/ CVD покрытие в качестве подложки

2. Используется в качестве XRD (рентгеновский Дифракционный анализ), SEM (сканирующий электронный микроскоп), FTIR инфракрасный, флуоресцентный спектральный анализ тест

3. Synchrotron радиационный тест-носитель образца

4. Молекулярный пучок эпитаксиального роста подложки

5. Процесс полупроводниковой литографии и т. д.

Примечание: другие размеры могут быть настроены и могут быть вызваны.