Описание
Монокристаллическая Кремниевая пластина (односторонняя полировка)
Особенности:Монокристаллическая подложка из кремния высокой чистоты si, тип N/P опционально, удельное сопротивление 0,0001-100 Ом, опционально
Роста режим:Straight без застежки
С украшением в виде кристаллов направленности:[111]/[100]/[110]
Это действительно плоский экран:<1 микрон (измеренная общая warpage)
Область применения:1. PVD/CVD покрытие как подложка
2. Используется как XRD (рентгеновский Дифракционный анализ), SEM (сканирующий электронный микроскоп), FTIR инфракрасный, флуоресцентный спектральный анализ тестовая подложка, AFM (атомный силовой микроскоп)
3. Синхротронное излучение тест-носитель образца
4. Молекулярный пучок эпитаксиальный рост подложки
5. Полупроводниковый процесс литографии и т. Д.
Классификация:1 "×0. 5 мм; 2 “× 0. 5 мм; 3 “× 0. 5 мм; 4 “× 0. 5 мм; 6 “× 0. 7 мм; 8 “× 0. 8 мм.
Примечание: другие размеры могут быть изменены.
Характеристики
- Стандартный
- GB
- Номер модели
- SEM single-sided polishing of monocrystalline silicon wafers
- Наличие стандарта
- Стандарт
- Габаритные размеры
- SEM single-sided polishing of monocrystalline silicon wafers
- Материал
- Другое
Сопутствующие товары
