Описание
Монокристаллическая Кремниевая пластина (односторонняя полировка)
Особенности:Высокочистая Кремниевая si Одиночная кристаллическая подложка, N/P Тип опционально, сопротивление 0,0001-100 Ом, опционально
Роста режим:Straight без застежки
С украшением в виде кристаллов направленности:[111]/[100]/[110]
Это действительно плоский экран:<1 микрон (измеренная общая страница)
Область применения:1. PVD/CVD покрытие в качестве подложки
2. Используется как XRD (рентгеновский Дифракционный анализ), SEM (сканирующий электронный микроскоп), FTIR инфракрасный, флуоресцентный спектральный анализ тестовая подложка, AFM (микроскоп атомной силы)
3. Synchrotron радиационный тест-носитель образца
4. Молекулярный пучок эпитаксиального роста подложки
5. Процесс полупроводниковой литографии и т. д.
Классификация:1 "×0. 5 мм; 2 "× 0. 5 мм; 3 "× 0. 5 мм; 4 "× 0. 5 мм; 6 "× 0. 7 мм; 8 "× 0. 8 мм.
Примечание:Другие размеры могут быть настроены.






Характеристики
- Стандартный
- GB
- Наличие стандарта
- Стандарт
- Номер модели
- Monocrystalline silicon wafer
- Габаритные размеры
- Monocrystalline silicon wafer
- Материал
- Другое








