Высокочистого монокристаллического силиконовое покрытие на 4 дюйма одной стороне полированный кремниевой подложке для электронного микроскопические исследования
  • Высокочистого монокристаллического силиконовое покрытие на 4 дюйма одной стороне полированный кремниевой подложке для электронного микроскопические исследования
  • Высокочистого монокристаллического силиконовое покрытие на 4 дюйма одной стороне полированный кремниевой подложке для электронного микроскопические исследования
  • Высокочистого монокристаллического силиконовое покрытие на 4 дюйма одной стороне полированный кремниевой подложке для электронного микроскопические исследования

Высокочистого монокристаллического силиконовое покрытие на 4 дюйма одной стороне полированный кремниевой подложке для электронного микроскопические исследования

1 005 руб.

Описание

Высокочистого монокристаллического силиконовое покрытие на 4 дюйма одной стороне полированный кремниевой подложке для электронного микроскопические исследования

Высокочистого монокристаллического силиконовое покрытие на 4 дюйма одной стороне полированный кремниевой подложке для электронного микроскопические исследованияВысокочистого монокристаллического силиконовое покрытие на 4 дюйма одной стороне полированный кремниевой подложке для электронного микроскопические исследованияВысокочистого монокристаллического силиконовое покрытие на 4 дюйма одной стороне полированный кремниевой подложке для электронного микроскопические исследования

Следующее термальный вафель окиси кремния произведенный вафлей, с различной толщиной, 1000A 2000 A 3000A 5000A 1000A 2000A 3000A 3000A. Можно использовать как пероксид водорода, так и монооксиген.

Высокочистого монокристаллического силиконовое покрытие на 4 дюйма одной стороне полированный кремниевой подложке для электронного микроскопические исследованияВысокочистого монокристаллического силиконовое покрытие на 4 дюйма одной стороне полированный кремниевой подложке для электронного микроскопические исследованияВысокочистого монокристаллического силиконовое покрытие на 4 дюйма одной стороне полированный кремниевой подложке для электронного микроскопические исследования

Ниже представлены маленькие квадраты всех размеров.

Высокочистого монокристаллического силиконовое покрытие на 4 дюйма одной стороне полированный кремниевой подложке для электронного микроскопические исследованияВысокочистого монокристаллического силиконовое покрытие на 4 дюйма одной стороне полированный кремниевой подложке для электронного микроскопические исследования'